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隨著nand flash制程進步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時已降為3，000 p/e、24~40個ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲器解決方案，以運用既有的低成本的mlc存儲器，在單一細胞電路單元使用slc讀寫技術(shù)（只儲存單一位元的電荷值），抹寫度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠于slc，可應用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機板以及薄型終端機等。 OPA4197IPWR TPS23861PWR TLC59116IRHBR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR