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公司專門(mén)回收傳感器、可編程邏輯器件、存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)控制器、射頻、開(kāi)關(guān)、多路復(fù)用器與分離器、微處理器、微控制器、控制器、放大器、數(shù)字處理器、數(shù)字電位器、數(shù)據(jù)與轉(zhuǎn)換、時(shí)鐘,定時(shí)與、有源濾波器、特殊功能、電壓基準(zhǔn)、電池、電源、編讀碼器、視頻處理、邏輯器件、音頻控制與處理、驅(qū)動(dòng)
隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫(xiě)次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時(shí)已降為3，000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫(xiě)技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫(xiě)度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。 OPA4197IPWR TPS23861PWR TLC59116IRHBR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR
