25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團(tuán)與意法半導(dǎo)體就碳化硅(sic)晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡稱“st”），雙方就碳化硅（以下簡稱“sic”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的sicrystal gmbh （以下簡稱“sicrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由sicrystal（sic晶圓生產(chǎn)量歐洲）向st（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會(huì)上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實(shí)現(xiàn)50w快充，體積小巧便攜。
臺(tái)積電將與意法半導(dǎo)體合作，加速gan制程技術(shù)開發(fā)
臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體合作加速市場采用氮化產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⒔唤o客戶。臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導(dǎo)入市場。透過此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化制程技術(shù)來生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術(shù)
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴(kuò)展其方位的碳化硅（sic）產(chǎn)品組合，新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應(yīng)用對(duì)于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務(wù)器、電信和工業(yè)smps、太陽能系統(tǒng)、能源儲(chǔ)存和化成電池、ups、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門協(xié)理steffen metzger說，推出這項(xiàng)產(chǎn)品后，英飛凌在600v/650v電源領(lǐng)域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。
 隨著nand flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲(chǔ)器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個(gè)ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時(shí)已降為3，000 p/e、24~40個(gè)ecc bit。  有廠商提出，eslc、islc的存儲(chǔ)器解決方案，以運(yùn)用既有的低成本的mlc存儲(chǔ)器，在單一細(xì)胞電路單元使用slc讀寫技術(shù)（只儲(chǔ)存單一位元的電荷值），抹寫度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠(yuǎn)于slc，可應(yīng)用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。 LM2904VQDRQ1 TLV4314QPWRQ1 TL343IDBVR LM393DGKR TPS51916RUKT TPS2543RTER TPS62130AQRGTRQ1 TPS61096ADSSR TPD4S010DQAR LM337LM/NOPB SN74LVC1T45QDCKRQ1 TXS0102YZPR TPS54225PWP INA193AMDBVREP TPS259270DRCR SN65HVD1050DR TPS259530DSGR TL343IDBVT AM26LV32IDR ISO7321CDR SN74LVC1T45DRLR ISO7221BDR CSD18532Q5B TS3USB221ERSER