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micron自家市場統(tǒng)計預(yù)測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長率可達51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲器芯片產(chǎn)品。 nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預(yù)估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。 回收飛利浦網(wǎng)卡芯片回收ST意法進口新年份芯片回收亞德諾MOS管場效應(yīng)管回收ti德州儀器電池充電管理芯片回收LINEAR芯片回收silergy汽車電腦板芯片回收凌特手機存儲芯片回收NIKO-SEM尼克森電池充電管理芯片回收kingbri進口新年份芯片回收WINBOND華邦WIFI芯片回收TOSHIBA汽車電腦板芯片回收麗晶微傳感器芯片回收韋克威開關(guān)電源IC 回收羅姆聲卡芯片回收英飛凌傳感器芯片回收idt音頻IC 回收艾瓦特電源管理IC 回收麗晶微BGA芯片回收Vincotech電源管理IC 回收艾瓦特封裝TO-220三極管回收飛利浦聲卡芯片回收maxim傳感器芯片回收亞德諾藍牙芯片回收威世MOS管場效應(yīng)管回收亞德諾發(fā)動機管理芯片回收瑞昱封裝QFP144芯片回收ATMLE進口新年份芯片回收HOLTEK合泰BGA芯片回收NIKO-SEM尼克森全新整盤芯片回收VISHAY聲卡芯片回收SAMSUNG收音IC 回收瑞昱封裝TO-220三極管回收idesyn收音IC 回收GENESIS起源微穩(wěn)壓管理IC 回收Vincotech穩(wěn)壓管理IC 回收飛思卡爾MOS管回收idt電池充電管理芯片回收kerost進口新年份芯片回收GENESIS起源微MCU電源IC 回收kerost升壓IC 回收toshiba封裝sot23-5封裝芯片回收GENESIS起源微WIFI芯片回收飛思卡爾MCU電源IC 回收silergy芯片回收艾瓦特信號放大器回收arvin微控制器芯片