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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
目前，三星電子對此事未置評。高通公司公開說，他們有信心能夠達到財季的銷售目標。上周三，高通公司 執(zhí)行官克里斯蒂亞諾·阿蒙（cristiano amon）在年會上對說：“我們的需求仍基本高于供給。不過，接下來將先 soc 芯片的供應(yīng)，而不是的入門級芯片”。自去年美國華為后，安卓手機廠商對高通芯片的需求激增，這可能是高通出現(xiàn)供應(yīng)壓力的原因之一。此外，上個月，美國德克薩斯州遭遇冬季暴風雪導(dǎo)致三星電子鑄造廠電網(wǎng)癱瘓，這家代工廠是高通的主要供應(yīng)廠之一。受到斷電影響，該廠在2月16日以來一直處于停工停產(chǎn)的狀態(tài)，并且預(yù)計可能會持續(xù)到4月中旬。目前為止，芯片短缺主要集中在傳統(tǒng)工藝制造的芯片上，而不是高通設(shè)計的處理器芯片。此次高通芯片供應(yīng)出現(xiàn)問題，表明芯片供應(yīng)鏈可能由一個行業(yè)擴展到其他多個行業(yè)，同時，快速變化的市場需求讓需要提前數(shù)十年制定生產(chǎn)計劃的芯片公司陷入困境。 GD32F103VCT6 GD32F303CCT6 GD32F303VCT6 GD32F305VCT6 PCI9056-BA66BIG QCPL-7847-500E QCPL-WB3N-560E ACHS-7122-500E ACPL-C790-500E ACPL-P480-500E HCPL-0601-500E TLC272IDR TMS320F28062PNT TPS7A7200QRGWREP TPS79850QDGNRQ1 TPS79801QDGNRQ1 LMH6645MFX/NOPB TMS320LF2406APZA IS42S32200L-6TLI IS25LP128F-JBLE-TR IS25LP256D-RMLE IS25LP512M-RMLE-TR IS25WP080D-JNLE IS25WQ040-JNLE-TR AO4803A AOL1412 DSPIC33EP16GS504-I/PT