搜產(chǎn)品
搜企業(yè)
客服電話:13631151688
廣告
25小時在線 158-8973同步7035 可微可電
采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存，而且它有著成本勢，事實上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。MP1494SGJ-Z MP1496DJ-LF-Z MP1601GTF-Z MP1652GTF-Z MP2305DS-LF-Z MP2617BGL-Z SY8703ABC SY7301AADC OB3396AP SY7310AADC SY5018BFAC SY5830BABC SY5839ABC SY5867FAC MCP2551T-I/SN TJA1057GT/3 MCP2551T-I/SN TJA1042T/1J TJA1057GT/3 DPA424R-TL PCA82C251T/YM NRF52811-QCAA-R PN5321A3HN/C106 SYH407AAC PN5321A3HN/C106 APW8720BKAE-TRG M74HC4040RM13TR TJA1041T/CM MC74ACT125DR2G AD5694RBCPZ-RL7 TLV4112IDGNR DS2417P+TR MAX211IDWR STM32L151CBT6 STM32F030C8T6 STM32F207VCT6 STM32F051C8T6 STM32L052K8U6TR STM32F051C8T6 STM32P100R8SODTR STM32P100R8S0DTR STM32P10SODTR STM32P10S0DTR STM32F103R6H6 STM32L151R8H6 74VHC595MTCX YDA174-QZE2 TJA1042T/CM XC4VSX55-11FF1148I XC4VSX55-10FF1148I M25P64-VMF6TP AT24C64D-SSHM-T KMK7X000VM-B314 PIC18F25K80-I/SS HCS300-I/SN IRF7317TRPBF CM108B IRFB7537PBF ATTINY45-20SU LAN9514-JXZ MCP3201-BI/SN