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在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器(phase-change memory;pcm)、磁阻存儲器( resistive memory;m-ram)、電阻存儲器(resistive memory;rram)等技術(shù)已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際,ddr4將可能是末代的ddr存儲器,屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式(floating gate)半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的nand flash非揮發(fā)性存儲器,隨著flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下,已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。 AO4601 AO4613 AO4627 AO4629 AO4922 AO4924 FDS5692Z FDS3512 FDS7766S FDS7766 FDS6994S FDS8882 FDS6892AZ FDS6680S Si2343DS-T1-E3 Si2333CDS-T1-GE3 Si2319CDS-T1-GE3 Si2312CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 Si2305CDS-T1-GE3 Si2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-E3 HMC481MP86E MP2130DG-C423-LF-Z MSA-0486-TR1G NTMFS4119NT1G NJM4580CG-TE2 NTMFS4C09NAT1G NTV1215MC IRFH7936TRPBF TLV61220DBVR