25小時在線 158-8973同步7035 可微可電 1）1001說的是1010^2=1k，1002說的是1010^3=10k，1502說的是1510^3=15k，以此類推， 2）除了用四位數(shù)說±1 精度的貼片電阻以外，還有用劃線的方法，來說±1 精度的，比如：103說的就是10k ±1 精度的貼片電阻，562說的就是5.6k ±1 精度的貼片電阻那么，上面是絲印的一種直接讀數(shù)的方法，除此之外，還有另一種絲印代碼的方法：e-96代碼的絲印標識方法，它的精度也是±1 ，關(guān)于這種絲印的代碼標識，它有自己的一套計算公式，大家可以去查表，不用刻意的去記住它。這樣的標識方法也有它的相關(guān)標準的，作為電子來說，只需要認識它了解它即可。因為知識是學(xué)不完的，不需知道怎么去研究具體怎么來的，那是廠家、標準會去思考的事情。封裝、精度與價格之間的關(guān)系對于電子來說，一定要知道元器件的大概價格，如果你設(shè)計出來的產(chǎn)品成本，即使再秀再的板子，那么在市場上沒有競爭力，也是沒有實際價值的。那么，可能有的畢業(yè)的，和采購之間相互推諉，認為這是采購的事，價格的事由采購來談。其實，這中間的責任沒有那么的明確的，有時候需要相互溝通、相互協(xié)調(diào)，等你的產(chǎn)品進入批量生產(chǎn)的時候，采購部有他們自己的指標，會和供應(yīng)商溝通來壓縮元器件的價格和交期的。那么一般情況下，封裝越大，價格越高。這其中還有特殊的合金貼片電阻，也會根據(jù)材料的不同，價格也有所不同，合金貼片電阻相對普通的碳膜貼片電阻貴一些。還有就是，一般情況下，精度越高，價格越高。還需要說明的是，在特殊情況下，即使±5 精度的阻值，它的價格也可能比±1 精度的電阻價格高，這是因為該電阻阻值不是標稱值。東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預(yù)計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)模化生產(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。  由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設(shè)備與儲存市場上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。  回收TAIYO/太誘進口IC 回收英飛凌芯片回收maxim/美信信號放大器回收silergy網(wǎng)口IC芯片回收infineon發(fā)動機管理芯片回收adi計算機芯片回收semtech網(wǎng)口IC芯片回收安森美驅(qū)動IC 回收威世降壓恒溫芯片回收NXP汽車電腦板芯片回收PARADE譜瑞手機存儲芯片回收中芯汽車主控芯片回收MICRON/美光BGA芯片回收艾瓦特穩(wěn)壓器IC 回收飛思卡爾MOS管場效應(yīng)管回收silergy邏輯IC 回收鑫華微創(chuàng)WIFI芯片回收WINBOND華邦MCU電源IC 回收MARVELLWIFI芯片回收PARADE譜瑞車充降壓IC 回收silergy穩(wěn)壓器IC 回收GENESIS起源微電源管理IC 回收intel路由器交換器芯片