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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器（此處簡(jiǎn)稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是nvm，其記錄速度也非?？臁?br />
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。nand的存儲(chǔ)單元只有nor的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲(chǔ)卡上。
nand 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲(chǔ)存塊， nand 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個(gè)，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
驍龍870的gpu是 adreno650。驍龍888的gpu是 adreno660，對(duì)比650有35 的性能提升。四、基帶結(jié)構(gòu)驍龍870的基帶結(jié)構(gòu)是驍龍x55，采用的是5g基帶。驍龍888的基帶機(jī)構(gòu)是驍龍x60，采用的是集成5g基帶，就結(jié)構(gòu)體系來看，驍龍888會(huì)更于驍龍870。 TPS74801QRGWRQ1 TPIC44L01DBR TLE42754G NCV47821PAAJR2G TPS745125PQWDRBRQ1 S9S12GN32BMLCR S9S12G192F0CLL LM324IYPT BUK9K35-60E S9S12G192F0CLL TPS40210QDGQRQ1 TPS74801QRGWRQ1 BZX384-C6V2 S912XDP512JMAL A4935KJPT-T TLE42754G SPC5743PK1AMLQ5R UCC28C41QDRQ1 NCV47821PAAJR2G MCIMX6D6AVT08AD SPC560P44L3CEFAR AONR34332C DMP4015SK3Q PESD1CAN.125 S9S12G64AMLF
