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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問(wèn)題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
處理器方面，hmd 此前已正式確認(rèn)其搭載驍龍 480 的諾基亞 5g 智能手機(jī)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒。驍龍 480 集成了高通 kryo460 cpu 和 adreno 619 gpu，主頻可達(dá) 2.0ghz，cpu 和 gpu 均實(shí)現(xiàn)了 100 的提升，ai 性能提升 70 。 隨著新機(jī)市場(chǎng)逐漸活躍起來(lái)，除了諾基亞，還有不少手機(jī)廠商均有新機(jī)發(fā)布計(jì)劃，vivo更是同時(shí)公布了多位人。而手機(jī)回收平臺(tái)愛回收開始高歌猛進(jìn)。 SGM2036-3.3YN5G/TR SY6874DBC SY6288AAAC SY6282ACC SY6280AAAC SM8103ADC SY7065AQMC SYR827PKC SY8401ABC SY6702DFC SY7203DBC SY58873UFAC MP2340GJ-Z MP2480DN-LF-Z MP3202DJ-LF-Z MP4012DS-LF-Z MP6513GJ-Z SY8035DBC MP1475DJ-LF-Z MP1495SGJ-Z MP1655GG-Z MP1658GTF-Z MP172GJ-Z MP2233DJ-LF-Z MP2488DN-LF-Z MP1591DN-LF-Z MP2149GJ-Z MP2229GQ-Z MP2560DN-LF-Z MP3120DJ-LF-Z MP3423GG-Z MP3426DL-LF-Z MP6211DN-LF-Z SY6281AAC MA730GQ-Z
