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東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設備與儲存市場上的替代效應，在明年底以前應該還看不到。 TCAN1042HVDR TLE7230R STM32G070CBT6 R5S72643P144FP#UZ WM8772SEDS/RV AK4113VF SM5907AF UPD7225GB-3B7 UPD9281 UPD16316 TDF8541TH/N2 MC74ACT244DTR2G MCP121T-450E/TT MCP1416T-E/OT MCP14E5-E/SN MCP1665T-E/MRA MCP1711T-22I/OT MCP3208-BI/SL MCP3208T-BI/SL SSM3J331R SSM3J334R SSM3K15AFS,LF(T SSM3K324R,LF(T