廣告
25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電
采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問(wèn)題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),flash是非常合適的存儲(chǔ)方案。可以從壽命(性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而nor的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫(xiě)入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
這種改進(jìn)型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫(xiě)兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存，而且它有著成本勢(shì)，事實(shí)上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來(lái)提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。RN5RL30AA-TR SI9183DT-AD-T1 TC2185-2.8VCTTR TCM810LENB713 TCM811SERC TPS79333DBVRG4 ADP3300ART-3 SC8800S4-349G SC8825A SC8825C SIL9011CLU TA31139BFL TLV5590EDR U87C196MC R2A15905FP RTL8306SD-GR SCH5627-NS SN65HVD3080EDGS INA203AIDGSR INA168QDBVRQ1 INA240A1PW USB1T1103MPX OPA2209AIDGKR
