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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問(wèn)題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而nor的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫(xiě)入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
nor flash的讀取和我們常見(jiàn)的sdram的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在nor flash里面的代碼，這樣可以減少sram的容量從而節(jié)約了成本。（一般程序運(yùn)行需要將程序從eprom中讀取到ram中然后運(yùn)行，但是nor flash可以直接讀取運(yùn)行。） nor flash帶有sram接口，有足夠的地址引腳來(lái)尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。nor flash占據(jù)了容量為1～16mb閃存市場(chǎng)的大部分。 nand flashNCP1587DR2G MP1412DH-LF-Z MP2249DQT-LF-Z OPA376AIDBVR OPA2333AIDGKR OPA2378AIDCNR LT1783IS6#TRPBF LM258DR LMV722IDGKR LM258PT LM358DR2G STM809RWX6F SY8089AAAC TPS63700DRCR TPS76050DBVR TPS54610PWPR TPS40210DGQR TPS3839G33DBZR TPS7A3901DSCR W25X05CLNIG WCN-3660-0-79BWLNSP-TR-02-0 TPS51125ARGER G966A-25ADJF11U GD25Q80BSIG
