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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電晶體三 管在電路中常用“Q”加數(shù)字說，如：Q1說編號為1的三 管。電路板上的三 管
1、特點：晶體三 管（簡稱三 管）是內部含有2個PN結，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三 管從工作特性上可互相彌補，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。
常用的PNP型三 管有：9012、9015等型號；NPN型三 管有：9011、9012、9013、9014、9018、等型號。
2、晶體三 管主要用于放大電路中起放大作用，
應用 多級放大器中間級，低頻放大 輸入級、輸出級或作阻抗匹配用高頻或寬頻帶電路及恒流源電路
3、晶體三 管的識別常用晶體三 管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規(guī)律。對于小功率金屬封裝三 管，按底視圖位置放置，使其三個引腳構成等腰三角形的頂點向上，從左向右依次為e、b、c；對于中、小功率塑料封裝三 管，按圖示1-2位置使其平面朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左向右依次為e、b、c 。
flash和eeprom的大區(qū)別是flash按扇區(qū)操作，eeprom則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，flash的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程序存儲器，eeprom則 的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用flash做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更“人性化”的mcu設計會集成flash和eeprom兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構，現(xiàn)在已基本上停產了。現(xiàn)在的單片機,ram主要是做運行時數(shù)據(jù)存儲器,flash主要是程序存儲器,eeprom主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù). 1、ram rom和ram指的都是半導體存儲器，rom是read only memory的縮寫，ram是random access memory的縮寫。rom在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而ram通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的ram就是計算機的內存。 sram和dram區(qū)別ram有兩大類：L78L05ACD13TR STMPS2171STR UC2844BD1013TR L4931ABD50-TR LD59100PUR ST1S09IPUR LM317LD13TR MC34063EBD-TR ST1L05BPUR TSM1052 STM1061N26WX6F UC3842BD1013TR STPS6M100DEE-TR STPS20M100SG-TR STPS5H100BY-TR STPS745G-TR STPS140AY STTH2R02AFY STTH3L06S STTH2L06A STTH5L06 STTH30RQ06W STTH310RL STTH30RQ06G-TR