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采用flash介質時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數是一百萬次,而nor的擦寫次數是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當的技巧,,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅動還用于對diskonchip產品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
一種稱為靜態(tài)ram（static ram/sram），sram速度非常快，是目前讀寫快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)ram（dynamic ram/dram），dram保留數據的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比的rom都要快，但從價格上來說dram相比sram要便宜很多，計算機內存就是dram的。 dram dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這里介紹其中的一種ddr ram。 ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內存，而且它有著成本勢，事實上擊敗了intel的另外一種內存標準－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。 2、romTAS3004PFBR TL5002CDR TPS74801DRCR TPS74801TDRCRQ1 ISL6443IRZ-TK MAX8510EXK28+T MOT3054 SI3010-F-FS DP83901AV DS14C238WM DS14C238WMX ADM202EARNZ-REEL7 AM26C32CNS NC7SZ08M5X NC7SZ126M5X NC7SP57P6X NC7WZ17P6X CLVC1G374QDCKRQ1 TL594CD TXS0101DCKR TIR1000PWR AT24C256W ASM1543 TPS715A33DRVR TLV7113030DDSER MP9495DJ-LF-Z