25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電電感在電路中常用“L”加數(shù)字說(shuō)，如：L3說(shuō)編號(hào)為3的電感。電路板上的電感器
電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。
  直流可通過(guò)線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很小；當(dāng)交流信號(hào)通過(guò)線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過(guò)，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。
  電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類似。如：棕、黑、金、金說(shuō)1uH（誤差5  ）的電感。
電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH。
micron自家市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲(chǔ)器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。  nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預(yù)估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。  回收semiment全新整盤(pán)芯片回收CJ長(zhǎng)電聲卡芯片回收LINEAR驅(qū)動(dòng)IC 回收億盟微封裝QFN進(jìn)口芯片回收semtech傳感器芯片回收LINEAR觸摸傳感器芯片回收SGMICRO圣邦微ADAS處理器芯片回收TAIYO/太誘穩(wěn)壓管理IC 回收ON封裝TO-220三極管回收toshiba全新整盤(pán)芯片回收ELITECHIPBGA芯片回收maxim音頻IC 回收MARVELL音頻IC 回收idt進(jìn)口IC 回收iwatte/dialog計(jì)算機(jī)芯片回收ONaurix芯片回收飛思卡爾收音IC 回收賽靈思BGA芯片回收飛利浦aurix芯片回收NSaurix芯片回收PANASONIC開(kāi)關(guān)電源IC 回收silergy封裝QFN進(jìn)口芯片回收威世計(jì)算機(jī)芯片回收NS發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收海旭電源管理IC 回收beiling藍(lán)牙芯片回收美滿傳感器芯片回收ON穩(wěn)壓管理IC 回收芯成邏輯IC 回收凌特汽車(chē)主控芯片回收鑫華微創(chuàng)微控制器芯片回收idesyn驅(qū)動(dòng)IC 回收SGMICRO圣邦微觸摸傳感器芯片回收艾瓦特ADAS處理器芯片回收HOLTEK合泰MOS管回收東芝封裝sot23-5封裝芯片回收凌特開(kāi)關(guān)電源IC 回收ROHM網(wǎng)口IC芯片回收羅姆電源監(jiān)控IC 回收f(shuō)sc仙童封裝TO-220三極管回收羅姆信號(hào)放大器