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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問(wèn)題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而nor的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫(xiě)入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
flash存儲(chǔ)器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是flash的存儲(chǔ)容量都普遍的大于eeprom，在存儲(chǔ)控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個(gè)字節(jié)擦除。 sram是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過(guò)fsmc外設(shè)來(lái)拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。stm32的f1系列是不支持sdram的?；厥誱aximMOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收infineon電源監(jiān)控IC 回收GENESIS起源微原裝整盤(pán)IC 回收NXP計(jì)算機(jī)芯片回收NXP封裝QFP144芯片回收芯成收音IC 回收ON收音IC 回收f(shuō)sc仙童網(wǎng)口IC芯片回收麗晶微路由器交換器芯片回收飛利浦SOP封裝IC 回收美滿(mǎn)升壓IC 回收Xilinx網(wǎng)卡芯片回收kerostMOS管回收adi升壓IC 回收尚途sunto封裝QFP144芯片回收瑞昱計(jì)算機(jī)芯片回收adiMCU電源IC 回收atheros隔離恒溫電源IC 回收arvin觸摸傳感器芯片回收TOSHIBAADAS處理器芯片回收億盟微集成電路芯片回收RENESAS微控制器芯片回收VISHAY電源管理IC 回收INTERSIL電源監(jiān)控IC 回收MARVELL收音IC 回收松下傳感器芯片
