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ASE40N50SH-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE40N50SH
型號(hào):ASE40N50SH
品牌:ASEMI
封裝:TO-2247
大漏源電流:40A
漏源擊穿電壓:500V
RDS(ON)Max:0.1Ω
引腳數(shù)量:3
溝道類(lèi)型:N溝道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏電流:
恢復(fù)時(shí)間:5ns
芯片材質(zhì):
封裝尺寸:如圖
特性:高壓MOS管、N溝道MOS管
工作結(jié)溫:-55℃~150℃
ASE40N50SH場(chǎng)效應(yīng)管
ASE40N50SH的電性參數(shù):大漏源電流40A;漏源擊穿電壓500V
特征:
低固有電容。
出色的開(kāi)關(guān)特性。
擴(kuò)展操作區(qū)域。
無(wú)與倫比的柵極電荷:Qg=75 nC(典型值)。
BVDSS=500V,Id=40A
RDS(開(kāi)):0.1m? (大值)@VG=10V