25小時在線 158-8973同步7035 可微可電市場走勢春節(jié)前后判若“兩 ” 電子行業(yè)整體走弱：2021 年2 月國內(nèi)a 場的申萬電子行業(yè)指數(shù)下跌4.5 ，位列 24 位，跑輸300 指數(shù)3.7個百分點(diǎn)，整體走勢弱于大市。市場在春節(jié)前后的走勢分化，春節(jié)后由于對流動性收緊的預(yù)期加劇，市場整體性回調(diào)，尤其是前期“抱團(tuán)”的公司。   電子板塊由于整體估值水平較高，且市場風(fēng)格集中在順周期的行業(yè)，行業(yè)缺乏進(jìn)一步的利好，整體走勢弱于市場整體。海外市場方面，香港科技板塊下跌，美國和臺灣科技業(yè)指數(shù)則上漲。   1 月國內(nèi)手機(jī)出貨量大增，低基數(shù)效應(yīng)釋放：1 月手機(jī)出貨量同比大幅增長，主要系去年1 月國內(nèi)已蔓延對需求造成，另一方面，去年新機(jī)發(fā)布數(shù)量有限，秋季新機(jī)延期發(fā)布，低基數(shù)效應(yīng)疊加需求復(fù)蘇使得1月手機(jī)出貨量大增。來看，蘋果、三星均因華為份額下滑獲得了市場份額，蘋果2020 年 四自然季業(yè)績也因此超出市場預(yù)期成為有史以來單季度營收。目前來看，智能手機(jī)上半年因基數(shù)效應(yīng)呈現(xiàn)淡季不淡的行情，但需求的持續(xù)動力仍有待驗證，零組件出現(xiàn)部分缺貨現(xiàn)象或?qū)dm 訂單造成影響。   半導(dǎo)體漲價潮延續(xù)，利好產(chǎn)能規(guī)模勢企業(yè)：供需端數(shù)據(jù)顯示行業(yè)仍處于上行期，從存儲器價格來看，2 月dram 價格漲幅較大，主要由于供給端產(chǎn)能吃緊導(dǎo)致。半導(dǎo)體缺貨、漲價仍在不斷上演，需求端逐漸恢復(fù)正常的前提下短期不應(yīng)求無法，產(chǎn)能成為晶圓廠和封測廠今年業(yè)績的重要。   近期由于德州暴雪、日本地震等自然事件對重要半導(dǎo)體生產(chǎn)基地造成停工影響，供給吃緊情況進(jìn)一步加劇。因此，我們認(rèn)為國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈訂單飽滿將帶來業(yè)績上的體現(xiàn)，具備產(chǎn)能勢的企業(yè)受益。   面板價格上漲，制造商業(yè)績進(jìn)一步受益：面板價格仍上漲，大尺寸漲幅在4 ~5 ，中小尺寸漲幅有所擴(kuò)大，主要系需求端tv 備貨不減，it 類需求持續(xù)景氣，供給端材料缺貨短期內(nèi)無法影響 產(chǎn)能，面板行業(yè)的狀況仍在延續(xù)，國內(nèi)廠商業(yè)績有望進(jìn)一步受益。   投資建議：維持行業(yè)評級“同步大市-a”，行業(yè)進(jìn)入q1 季末，年報逐步披露，21q1 業(yè)績也逐漸浮出水面，基本面或成為主要的點(diǎn)，但宏觀經(jīng)濟(jì)層面風(fēng)險仍然存在，建議保持謹(jǐn)慎。子板塊分析來看：終端產(chǎn)品，低基數(shù)效應(yīng)下q1~q2手機(jī)出貨量有望增長，供應(yīng)鏈上半年同比表現(xiàn)預(yù)期較好，但需求的持續(xù)性有待進(jìn)一步驗證；半導(dǎo)體方面，缺貨漲價潮仍在延續(xù)，短期內(nèi)無法，有產(chǎn)能勢的廠商受益更為；顯示板塊，面板價格仍上漲，疊加顯示驅(qū)動 ic 缺貨預(yù)期若，面板將持續(xù)漲價，廠商業(yè)績進(jìn)一步受益。未來一個月，子板塊推薦半導(dǎo)體封測、模擬電路國內(nèi)、周期性向好的面板以及需求景氣的被動元器件。個股方面，我們推薦基本面確定性高的標(biāo)的，為思瑞浦(688536)、圣邦股份(300661)、長電科技(600584)、江海股份(002484)和深天馬a(000050))隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測試。  回收toshiba進(jìn)口新年份芯片回收semtech手機(jī)存儲芯片回收億盟微進(jìn)口IC 回收ncs電池充電管理芯片回收kingbri藍(lán)牙芯片回收芯成開關(guān)電源IC 回收瑞昱SOP封裝IC 回收PANASONICMOS管回收maxim隔離恒溫電源IC 回收INFINEON藍(lán)牙芯片回收鑫華微創(chuàng)手機(jī)存儲芯片回收LINEAR信號放大器回收semtech網(wǎng)卡芯片回收威世汽車主控芯片回收IR芯片回收NSDOP封裝芯片回收ROHMMCU電源IC 回收Xilinx進(jìn)口IC 回收iwatte/dialog微控制器芯片回收CJ長電發(fā)動機(jī)管理芯片回收VISHAY進(jìn)口IC 回收CJ長電隔離恒溫電源IC 回收infineon進(jìn)口芯片回收美滿網(wǎng)口IC芯片回收鑫華微創(chuàng)封裝QFP芯片回收PANASONIC封裝QFP144芯片回收美滿隔離恒溫電源IC 回收ATMLE原裝整盤IC 回收idt封裝TO-220三極管回收美滿汽車電腦板芯片回收HOLTEK合泰降壓恒溫芯片回收MARVELL藍(lán)牙IC 回收鑫華微創(chuàng)邏輯IC 回收矽力杰MOS管回收toshiba傳感器芯片回收WINBOND華邦BGA芯片回收中芯邏輯IC 回收海旭SOP封裝IC