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ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時(shí)間:2023-02-18 瀏覽:20
ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE

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ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOSASE4N65SE

型號(hào):ASE4N65SE

品牌:ASEMI

封裝:TO-220F

大漏源電流:4A

漏源擊穿電壓:650V

RDSONMax2.5Ω

引腳數(shù)量:3

溝道類型:N溝道MOS

芯片尺寸:MIL

漏電流:

恢復(fù)時(shí)間:5ns

芯片材質(zhì):

封裝尺寸:如圖

特性:高壓MOS管、N溝道MOS

工作結(jié)溫-55℃~150℃

ASE4N65SE場效應(yīng)管

ASE4N65SE的電性參數(shù):大漏源電流4A;漏源擊穿電壓650V

特征:

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴(kuò)展操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=650V,Id=4A

RDS(開):2.5? (大值)@VG=10V

鄭重聲明:資訊 【ASE4N65SE-ASEMI高壓N溝道MOS管ASE4N65SE】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.5ix2s.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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