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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲(chǔ)方案。可以從壽命(性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
三星與臺積電并列為兩大芯片代工廠，但是卻總是稍遜臺積電。2015年蘋果iphone 6s系列，為了提高新品產(chǎn)能，同時(shí)使用了三星14nm和臺積電16nm工藝代工，然而臺積電出產(chǎn)的芯片性能穩(wěn)定，三星的芯片卻兩 分化，部分芯片性能、發(fā)熱均表現(xiàn)，另一些芯片則出現(xiàn)了發(fā)熱翻車的現(xiàn)象。后來蘋果芯片的代工訂單基本都交給了臺積電，三星則與高通簽訂了多年合作協(xié)議。3nm是芯片工藝的新節(jié)點(diǎn)，比5nm、4nm更為重要，三星早前已經(jīng)開始布局，搶在臺積電之前，展出了成品。 L5970D RT9385BGQW MT6161AN/C WM8728EDS BC57E687BU KLM4G1FE3B-B001 TDA18252HN CY7C66113C-PVXC UBA2014P LF353DR SGM8545XN5/TR OPA445AU PTMA210152MV1 LT1013DDR LF353P TLV2711IDBVR LF347DR S25FL512SAGMFVG13 PCF8563T/5 NJM2740V-TE1 TLC277CP DA9053-3FHA LT6654AIS6-2.5#TRMPBFTR-ND DRV8833RTY
