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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問(wèn)題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而nor的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠(chǎng)家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫(xiě)入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
nand flash沒(méi)有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來(lái)進(jìn)行的，通常是一次讀取512個(gè)字節(jié)，采用這種技術(shù)的flash比較廉價(jià)。用戶(hù)不能直接運(yùn)行nand flash上的代碼，因此好多使用nand flash的開(kāi)發(fā)板除了使用nand flah以外，還作上了一塊小的nor flash來(lái)運(yùn)行啟動(dòng)代碼。 nand結(jié)構(gòu)能提供 高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫(xiě)入和擦除的速度也很快。應(yīng)用nand的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。一般小容量的用nor flash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要，而大容量的用nand flash。 SIL9181CNU SKY74073-13 SKY77328-13 SN65HVD3083EDGS REF198GS-REEL REG710NA-5/3KG4 SC1097D SIL9687CNUC REF5050AIDGKR INA202AIDGKR INA204AIDGSR INA208AIDGSR TL1451ACNSR TL3845DR TPS61000DGSR TPS62300YZDR TPS79628DRBR TPS79425DGNR TPS79433DGNR NCP1215DR2 RH5VL36AA-T1
