18N20-ASEMI中低壓N溝道MOS管18N20

作者：深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司來(lái)源：asemi888 發(fā)布時(shí)間：2023-02-15 瀏覽：15

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型號(hào)：18N20

品牌：ASEMI

封裝：ITO-252

大漏源電流：18A

漏源擊穿電壓：200V

RDS（ON）Max：0.18Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復(fù)時(shí)間：5ns

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：中低壓MOS管、N溝道MOS管

工作結(jié)溫：-55℃~150℃

18N20場(chǎng)效應(yīng)管

18N20的電性參數(shù)：大漏源電流18A；漏源擊穿電壓200V

特征：

低固有電容。

出色的開(kāi)關(guān)特性。

擴(kuò)展操作區(qū)域。

無(wú)與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=200V，Id=18A

RDS（開(kāi)）:0.18? （大值）@VG=10V

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