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ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來(lái)源:asemi888 發(fā)布時(shí)間:2023-02-14 瀏覽:15
ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10

編輯:ll

ASE60N10-ASEMI中低壓MOSASE60N10

型號(hào):ASE60N10

品牌:ASEMI

封裝:TO-263

大漏源電流:60A

漏源擊穿電壓:100V

RDSONMax17Ω

引腳數(shù)量:3

芯片個(gè)數(shù):

溝道類型:N溝道MOS管、中低壓MOS

漏電流:ua

特性:N溝道MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管

工作溫度:-55~175

備受歡迎的ASE60N10 MOS

  ASEMI品牌ASE60N10是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)保證了ASE60N10的大漏源電流60A,漏源擊穿電壓100V.

?細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距

ASE60N10,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產(chǎn)品穩(wěn)定性高,抗沖擊能力強(qiáng)。

ASE60N10具體參數(shù)為:大漏源電流:60A,漏源擊穿電壓:100V,反向恢復(fù)時(shí)間: ns,封裝:TO-263


鄭重聲明:資訊 【ASE60N10-ASEMI中低壓MOS管ASE60N10】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫(kù)www.5ix2s.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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