25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電蘋果公司周一稱，今年晚些時(shí)候?qū)⑼瞥霾捎米匝行酒膍ac電腦。此舉將結(jié)束蘋果與英特爾公司(inte .,intc)長(zhǎng)達(dá)15年的技術(shù)合作關(guān)系。蘋果公司說(shuō)，該公司定制的芯片效率更高，圖形處理性能也更高。蘋果公司2010年發(fā)布了該公司的款iphone處理器。這一計(jì)劃符合蘋果公司用自己設(shè)計(jì)的零部件替換許多 三方零部件的整體戰(zhàn)略。據(jù) 科技行業(yè)分析師waynelam估計(jì)，目前iphones的零部件中約42 由蘋果自己生產(chǎn)，而不到五年前，這一比例僅為8 。隨著蘋果公司未來(lái)開發(fā)出調(diào)制解調(diào)器芯片和傳感器，預(yù)計(jì)該比例會(huì)進(jìn)一步上升。自研零部件降低了蘋果公司的成本，并提升了該公司產(chǎn)品的性能，還增強(qiáng)了其對(duì)未來(lái)新產(chǎn)品的掌控。分析師估計(jì)，上述新的mac電腦芯片將使每臺(tái)mac電腦的生產(chǎn)成本降低75-150美元。他們說(shuō)，蘋果公司可以將節(jié)省下來(lái)的成本回饋給客戶和股東。這一戰(zhàn)略源于已故蘋果聯(lián)合創(chuàng)始人喬布斯(stevejobs)倡導(dǎo)的蘋果哲學(xué)，即擁有可以帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)勢(shì)。的芯片和傳感器可以幫助其iphone、ipad和mac在電池性能和功能上競(jìng)爭(zhēng)。還可以保護(hù)蘋果免受購(gòu)買通用零部件的競(jìng)爭(zhēng)的影響。隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來(lái)增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年?yáng)|芝發(fā)表bics，2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  TMP82C265BF-10 VSC7395XYV BD45285G-TR FDS8978 S1D13305F00B200 MC74LCX16373DTR2 CY2304SXC-1T BR9020F-WE2 AD5227BUJZ10-RL7 PCD50923H/C96 TPS40140RHHR B39741-B8566-P810 NM93C46M8X PCA9540BDP HAT2153RJ-EL-E CEG231G95ECB100RB5 W83L604G CY7C68014A-56LFXC APN337S3959 MC74LCX244DTR2G 74AHC1G04GW CD4556BE MC3450P M37451E8FP EPM3064ATC100-10