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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團與意法半導體就碳化硅(sic)晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議
半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡稱“st”），雙方就碳化硅（以下簡稱“sic”）晶圓由羅姆集團旗下的sicrystal gmbh （以下簡稱“sicrystal”）供應事宜達成長期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由sicrystal（sic晶圓生產(chǎn)量歐洲）向st（面向眾多電子設備提供半導體的性半導體制造商）供應的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實現(xiàn)50w快充，體積小巧便攜。
臺積電將與意法半導體合作，加速gan制程技術開發(fā)
臺積電與意法半導體合作加速市場采用氮化產(chǎn)品。意法半導體預計今年晚些時候?qū)⒔唤o客戶。臺積電與意法半導體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導入市場。透過此合作，意法半導體將采用臺積公司的氮化制程技術來生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴展其方位的碳化硅（sic）產(chǎn)品組合，新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應用對于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務器、電信和工業(yè)smps、太陽能系統(tǒng)、能源儲存和化成電池、ups、馬達驅(qū)動以及電動車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門協(xié)理steffen metzger說，推出這項產(chǎn)品后，英飛凌在600v/650v電源領域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導體產(chǎn)品組合。
隨著nand flash制程進步與線路寬度與間距的微縮，連帶影響到抹寫次數(shù)（p/e cycles）的縮減。slc存儲器從3x 制程的100，000次p/e cycles、4個ecc bit到2x 制程降為60，000 p/e、ecc 24bit。mlc從早期5x 制程10，000 p/e、ecc 8bit，到2x/2y 制程時已降為3，000 p/e、24~40個ecc bit。 有廠商提出，eslc、islc的存儲器解決方案，以運用既有的低成本的mlc存儲器，在單一細胞電路單元使用slc讀寫技術（只儲存單一位元的電荷值），抹寫度提升到30，000次p/e，成本雖比mlc高，但遠于slc，可應用在ipc／kiosk／pos系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機板以及薄型終端機等。 MAX5441BEUA SSM2167-1RMZ FAN5236QSCX RT9181CB AD5160BRJZ100 AD5171BRJZ100 AD5165BUJZ100 AD5235BRUZ25 AD5308ARUZ-REEL7 AD5280BRUZ20 ADP8860ACPZ RT9801BPE ADP3331ARTZ ADR381ARTZ ADL5315ACPZ EL7536IYZ-T7 MAX1879EUA+ MAX6138AEXR25+T LTM4600EV#PBF A3240ELHLT AD7740YRTZ AD7441BRTZ