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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？?。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù)，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈的消息，臺積電也在研發(fā)3nm工藝，的是新工藝仍將采用finfet立體晶體管技術(shù)，號稱與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。從紙面參數(shù)來看，三星這一次似乎有望實現(xiàn)反超。不過三星還沒有公布3nm工藝的訂單情況，臺積電則基本確認，客戶會包括蘋果、amd、nvidia、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，貌似intel也有意尋求臺積電的工藝代工。臺積電預計將在2nm芯片上應用gaafet技術(shù)，要等待三年左右才能面世?；厥誚incotech進口IC 回收GENESIS起源微DOP封裝芯片回收威世集成電路芯片回收億盟微MOS管回收beiling全新整盤芯片回收silergyWIFI芯片回收PANASONIC封裝QFP芯片回收semtech藍牙芯片回收ti德州儀器網(wǎng)口IC芯片回收LINEAR進口IC 回收麗晶微電源管理IC 回收INTERSILMOS管回收kerost音頻IC 回收INTERSIL穩(wěn)壓管理IC 回收Xilinx聲卡芯片回收IRMCU電源IC 回收尚途sunto微控制器芯片回收ncs封裝sot23-5封裝芯片回收kerost降壓恒溫芯片回收ti德州儀器封裝SOP20芯片回收VISHAY原裝整盤IC 回收IR網(wǎng)口IC芯片回收ST意法藍牙芯片回收kingbri手機存儲芯片