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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？臁?br />
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù)，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
5g的設(shè)計初衷之一就是利用更加廣泛的無線頻譜資源從6ghz以下的中低頻段，到更高頻率的毫米波頻段。毫米波能夠提供的網(wǎng)絡(luò)容量和7.5gbps的 速蜂窩網(wǎng)絡(luò)連接，是5g發(fā)展中不可或缺、的組成部分。可以說，是否掌握毫米波技術(shù)是判斷一家公司是否具備5g力的關(guān)鍵因素。多年前，我們已經(jīng)開展針對毫米波的研發(fā)。在驍龍865的開發(fā)過程中，利用驍龍x55 5g調(diào)制解調(diào)器及射頻系統(tǒng)，我們驍龍865能夠支持從低頻到高頻的部主要頻段及組合。在商用智能手機中支持毫米波，驍龍865在這一點上遙遙于其它廠商。 VNB35NV04-E VND14NV04TR-E STD15P6F6AG STF11N65M2 STB36NM60N STB33N60DM2 STDS75DS2F STP7N65M2 STP12N60M2 STP220N6F7 STP23NM50N STP7N60M2 STU12N60M2 STW13N60M2 STW20N65M5 STW35N60DM2 STW36NM60ND STW56N60DM2 STW72N60DM2AG STY105NM50N TN1215-600H STB18N65M5 STB24NM60N STB28NM50N