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成都回收江波龍閃存內(nèi)存K4T1G164QG-BCE6

作者:深圳市東域電子有限公司 來源:dongtadianzi 發(fā)布時間:2023-01-02 瀏覽:22

25小時在線 158-8973同步7035 可微可電

采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案??梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。

在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

 

掉電不丟失數(shù)據(jù),容量大,價格便宜 flash:存儲器又稱閃存,它結(jié)合了rom和ram的長處,不僅具備電子可擦除可編程(eeprom)的性能,還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)。分為nand flash和nor flash,nor flash讀取速度比nand flash快,但是容量不如nand flash,價格上也更高,但是nor flash可以芯片內(nèi)執(zhí)行,樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)ram中。nandflash密度更大,可以作為大數(shù)據(jù)的存儲。 TPS7B4254QDDARQ1 TPS7A1601QDGNRQ1 TPS25944LRVCR MMA8453QR1 TJA1044GT/3Z TJA1057GT/3J TJA1042TK/3/1J TJA1029TK,118 TJA1048TK,118 TJA1051TK/3,118 AD8603AUJZ-REEL7 ADUM1100ARZ-RL7 ADM3251EARWZ-REEL PIC32MX795F512L-80I/PT PIC32MX695F512L-80I/PT TJA1046TKZ TJA1028TK/5V0/20/1 TJA1043TK/1Y MPVZ5004GW7U MCIMX6U6AVM10AD DRV8835DSSR CSD19536KTTT TPS7A3701DRVT PIC18LF47K40T-I/PT PIC32MX695F512LT-80I/PT MIC4422ZT

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