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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團與意法半導體就碳化硅(sic)晶圓長期供貨事宜達成協議
半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡稱“st”），雙方就碳化硅（以下簡稱“sic”）晶圓由羅姆集團旗下的sicrystal gmbh （以下簡稱“sicrystal”）供應事宜達成長期供貨協議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協議，由sicrystal（sic晶圓生產量歐洲）向st（面向眾多電子設備提供半導體的性半導體制造商）供應的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實現50w快充，體積小巧便攜。
臺積電將與意法半導體合作，加速gan制程技術開發(fā)
臺積電與意法半導體合作加速市場采用氮化產品。意法半導體預計今年晚些時候將交給客戶。臺積電與意法半導體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導入市場。透過此合作，意法半導體將采用臺積公司的氮化制程技術來生產其氮化產品。
英飛凌新增650v產品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴展其方位的碳化硅（sic）產品組合，新增650v產品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應用對于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務器、電信和工業(yè)smps、太陽能系統、能源儲存和化成電池、ups、馬達驅動以及電動車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉換部門協理steffen metzger說，推出這項產品后，英飛凌在600v/650v電源領域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導體產品組合。
東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術，從2014年季起開始小量試產，目標在2015年前順利銜接現有1y、1z 技術的flash產品。為了后續(xù)3d nand flash的量產鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應用端與主芯片及系統整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產為主，對整個移動設備與儲存市場上的替代效應，在明年底以前應該還看不到。 STB30NF20L STD105N10F7AG STD11N60DM2 STD13N65M2 STD80N10F7 STF10N60DM2 STF11N60DM2 STF18N60DM2 TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR CSD18532Q5B TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1 TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G38DCKR LM5009AMM/NOPB TPS259573DSGR