25小時在線 158-8973同步7035 可微可電蘋果自研5g基帶一方面或許能夠解決信號問題，另一方面或許是為了今后能夠在a系列處理器上直接集成基帶芯片。 iphone由于一直采用基帶的方式，這致iphone的發(fā)熱和功耗問題比較。如果今后能夠采用集成式基帶的方案，或許可以提升用戶體驗。拋開用戶體驗不談，從蘋果公司戰(zhàn)略層面上來講，自研5g基帶可以讓蘋果在零部件供應(yīng)上不再受制于人。  2019年，蘋果公司ceo庫克曾回應(yīng)蘋果收購英特爾基帶業(yè)務(wù)一事，稱蘋果的目的就是為了“控制”。  對于蘋果而言，將零部件供應(yīng)都掌控在自己手里，是一直以來堅持不懈的方向。  除了處理器和基帶芯片以外，蘋果目前還與臺灣廠商合作開發(fā)micro led面板，并且將來還會有自己的生產(chǎn)線。  至于其他非零部件，蘋果也希望采用多個供應(yīng)商共同供貨的模式。 一方面是為了自家產(chǎn)品能夠穩(wěn)定出貨，另一方面，則是為了提高自己的議價能力，擴大利潤。隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。  STM32F756VGT6 STM32F765IIT6 STM32F765NIH7 STM32F778AIY6TR STM32L011D4P6 STM32L011E4Y6TR STM32L011F3P6TR STM32L011G4U6 STM32L011K4U6 STM32L031F6P6TR STM32L052C8T7 STM32L0538-DISCO STM32L073VBT6 STM32L100C6U6 STM32L100R8T6 STM32L100RCT6 STM32L151C6T6TR LM393PT LMV822IDT MC33078DT LF253DT LMV358IDT LM2903PT