25小時在線 158-8973同步7035 可微可電元件:工廠在加工時沒改變原材料分子成分的產品可稱為元件，元件屬于不需電子元器件要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱為被動 元件passive components) 電子的單向作用場性質在物理的范圍內失效，因為物理的點電荷概念包含了成千上萬的電子（負電）或質子（正電）。在物理中點電荷的電場是大量電子或離子的總體效應，是滿足矢量疊加的矢量場。 4性質特征編輯電子塊頭小重量輕（比μ介子還輕205倍)，被歸在亞原子粒子中的輕子類。輕子是物質被劃分的作為基本粒子的一類。電子帶有二分之一自旋，滿足費米子的條件（按照費米-狄拉克統(tǒng)計）。電子所帶電荷約為-1.6×10-19庫侖，質量為9.10×10-31kg（0.51mev/c2）。通常被說為e-。與電子電性相反的粒子被稱為正電子，它帶有與電子相同的質量，自旋和等量的正電荷。電子在原子內做繞核運動， 越大距核運動的軌跡越遠，有電子運動的空間叫電子層，層多可有2個電子。層多可以有8個， n層多可容納2n2個電子，外層多容納8個電子。后一層的電子數(shù)量決定物質的化學性質是否活潑，1、2、3電子為金屬元素，4、5、6、7為非金屬元素，8為稀有氣體元素。物質的電子可以失去也可以得到，物質具有得電子的性質叫做氧化性，該物質為氧化劑；物質具有失電子的性質叫做還原性，該物質為還原劑。物質氧化性或還原性的強弱由得失電子難易決定，與得失電子多少無關。rom也有很多種，prom是可編程的rom，prom和eprom（可擦除可編程rom）兩者區(qū)別是，prom是也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產品，現(xiàn)在已經不可能使用了，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種eeprom是通過電子擦出，價格，寫入時間很長，寫入很慢。手機軟件一般放在eeprom中，我們打電話，有些后撥打的號碼，暫時是存在sram中的，不是馬上寫入通過記錄（保存在eeprom中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。 flash存儲器又稱閃存，它結合了rom和ram的長處，不僅具備電子可擦除可編程（eeprom）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)（nvram的勢） rom（eprom）作為它們的存儲設備，然而近年來 flash代替了rom（eprom）在嵌入式系統(tǒng)中的，用作存儲bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當硬盤使用（u盤）。目前flash主要有兩種nor flash和nadn flash。 3、flashMP1494SGJ-Z MP1496DJ-LF-Z MP1601GTF-Z MP1652GTF-Z MP2305DS-LF-Z MP2617BGL-Z SY8703ABC SY7301AADC OB3396AP SY7310AADC SY5018BFAC SY5830BABC SY5839ABC SY5867FAC MCP2551T-I/SN TJA1057GT/3 MCP2551T-I/SN TJA1042T/1J TJA1057GT/3 DPA424R-TL PCA82C251T/YM NRF52811-QCAA-R PN5321A3HN/C106 SYH407AAC PN5321A3HN/C106 APW8720BKAE-TRG M74HC4040RM13TR TJA1041T/CM MC74ACT125DR2G AD5694RBCPZ-RL7 TLV4112IDGNR DS2417P+TR MAX211IDWR STM32L151CBT6 STM32F030C8T6 STM32F207VCT6 STM32F051C8T6 STM32L052K8U6TR STM32F051C8T6 STM32P100R8SODTR STM32P100R8S0DTR STM32P10SODTR STM32P10S0DTR STM32F103R6H6 STM32L151R8H6 74VHC595MTCX YDA174-QZE2 TJA1042T/CM XC4VSX55-11FF1148I XC4VSX55-10FF1148I M25P64-VMF6TP AT24C64D-SSHM-T KMK7X000VM-B314 PIC18F25K80-I/SS HCS300-I/SN IRF7317TRPBF CM108B IRFB7537PBF ATTINY45-20SU LAN9514-JXZ MCP3201-BI/SN