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回收指紋芯片、指紋模組
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隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。 回收MICRON/美光隔離恒溫電源IC 回收瑞薩封裝QFN進口芯片回收LINEAR原裝整盤IC 回收瑞昱進口芯片回收HOLTEK合泰車充降壓IC 回收maxim/美信微控制器芯片回收艾瓦特降壓恒溫芯片回收NS驅動IC 回收韋克威網(wǎng)口IC芯片回收TAIYO/太誘MOS管場效應管回收東芝音頻IC 回收飛思卡爾車充降壓IC 回收ST意法MOS管回收WINBOND華邦升壓IC 回收VISHAY驅動IC 回收億盟微aurix芯片回收TAIYO/太誘手機存儲芯片回收LINEAR計算機芯片回收矽力杰封裝SOP20芯片回收麗晶微穩(wěn)壓器IC 回收idt隔離恒溫電源IC 回收鑫華微創(chuàng)穩(wěn)壓管理IC 回收威世微控制器芯片回收瑞薩觸摸傳感器芯片回收羅姆MOS管場效應管回收ROHM計算機芯片回收ROHM收音IC 回收韋克威原裝整盤IC 回收iwatte/dialog穩(wěn)壓器IC