25小時(shí)在線(xiàn) 158-8973同步7035 可微可電上采用ic腳位的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn):將ic的方向指示缺口朝左邊，靠近自己一邊的引腳從左至右為腳至 n腳，遠(yuǎn)離自己的一邊從右至左為 n+1腳至后一腳。注:有部分廠家生產(chǎn)的ic不是用方向指示缺口來(lái)標(biāo)識(shí)，而是用 絲印來(lái)方向辨認(rèn)腳位的方法和上述方法一樣。
c、 qfp(正四方翅形引腳)正四方ic引腳腳位辨認(rèn)方法:將方向指示標(biāo)記朝左并靠近自己，正對(duì)自己的一排引腳左邊腳為ic的腳，按 針?lè)较蛞来螢槟_至 n腳。
d、bga(底部錫球引腳)bga封裝:隨著技術(shù)的更新集成電路的集成度不斷提高，功能的ic不斷被設(shè)計(jì)出來(lái)，引腳不斷增多qfp方式已不能解決需求，因此bga封裝方式被設(shè)計(jì)出來(lái)，它充分利用ic與pcb接觸面積，大幅的利用ic 的底面和垂 直焊接方式，從而解決了引腳的問(wèn)題。
10:晶振晶振是一種通過(guò)一定電壓激勵(lì)產(chǎn)生固定頻率 的一種電子元器件，被廣泛的用于家電儀器和電腦。
類(lèi)型分為: 無(wú)源晶振 、有源晶振。無(wú)源晶振一般只有兩只引腳，有源晶振一般為四只引腳，并且在插機(jī)時(shí)對(duì)相應(yīng)腳位有嚴(yán)格的要求，如果插反方向會(huì)將晶振損壞(同時(shí)貼片晶振的振膜很薄,拿取時(shí)要輕拿輕放)
11:光耦器的識(shí)別主要有:貼片光耦器，手插光耦器。其與ic的區(qū)別主要在于ic一般有8只或8只以上的引腳，而光耦器一般為4到6只腳。
12:插座插座在電子儀器、設(shè)備、家用電器等電子產(chǎn)品中廣泛使用，起到連接作用。是電子產(chǎn)品模塊化，而更便于更新、維修。插座: 插座的方向是用一些特殊的附號(hào)或元器件的缺口
14貼片元件規(guī)格識(shí)別1:通常是用貼片元件的長(zhǎng)與寬組合在一起,貼片元件體積大小的一種,通常用英寸(inch)(1inch=2.54cm)
2:常用貼片元件的規(guī)格有以下幾種:a:0402 該元件:長(zhǎng) 0.04inch 寬 0.02inchb:0603 該元件:長(zhǎng) 0.06inch 寬 0.03inch:0805 該元件:長(zhǎng) 0.08inch 寬 0.05inch
d:1206 說(shuō)該元件:長(zhǎng) 0.12inch 寬 0.06inche:1210 說(shuō)該元件:長(zhǎng) 0.12inch 寬 0.1inch
15判定smt材料正確性的標(biāo)準(zhǔn)1:材料的料盤(pán)上編碼 與客戶(hù)清單上的編碼相對(duì)應(yīng)。2:材料的型號(hào) 與客戶(hù)清單上的型號(hào)要求相對(duì)應(yīng)。3:材料的規(guī)格要符合客戶(hù)清單上的要求。4:材料的誤差要符合客戶(hù)清單上的要求。5:材料實(shí)物上的絲印與客戶(hù)清單上的要求相一致,若不一致則 有客戶(hù) 的文件支持.6:有特殊要求看廠家的材料,材料的廠家 滿(mǎn)足客戶(hù)的要
16隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開(kāi)始采用3d堆疊制程技術(shù)來(lái)增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年?yáng)|芝發(fā)表bics，2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫(xiě)入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開(kāi)始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G38DCKR TPS3831G18DQNR TPS70930DBVR TPS65145PWPR TPS630702RNMR TPS62822DLCT TPS54428DDAR TPS259573DSGT TLV76733DRVR TLV75733PDBVR TLV431BQDBVT TL431IPK LMR14030SQDPRTQ1 TPS62136RGXT TPS2051BDR TL431ACDBVR LMR14030SQDPRRQ1 BQ25100YFPR TPS2069CDBVR TLV62084DSGR TL432BQDBZR LMV431AIM5X/NOPB SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G07DCKR SN74LVC1G08DBVR SN74LVC2G14DCKR SN74LVC2G04DCKR SN74AVC4T245RSVR SN74AUP2G07DCKR SN74AHC1G09DCKR SN74LVC1G125DCKR SN74AXC2T245RSWR SN74AUP2G08DCUR SN74AHC1G32DCKR SN74AHC1G08QDBVRQ1 SN74AHC1G00DCKR TXB0102DCUT SN74LVC1G08DBVR SN74LVC1G06DRYR SN74AXC8T245QPWRQ1 TXS0102DQMR SN74LVC2G34DCKR LM2904QDRQ1 LMV358IDGKR TL082CD TLV2372IDGKR LMP8645HVMK/NOPB TS3A226AEYFFR TLV6002IDR TLV6001QDCKRQ1 TLV342SIRUGR LM321LVIDBVR OPA2376QDGKRQ1