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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？?。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結合eprom和eeprom兩項技術，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結構大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結構，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
英特爾將分別把ddr4規(guī)格導入伺服器／工作站平臺，以及桌上型電腦平臺（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器處理器xeon e5-2600處理器（代號haswell-ep），搭配的ddr4存儲器為2，133mbps（ddr4-2133）；后者則是預定 三季推出的8intel core i7 extreme edition處理器，同樣搭配ddr4-2133存儲器，以及支援14組usb 3.0、10組sata6gbps的x99芯片組，成為2014 4季至2015年上半年英特爾的桌上型電腦平臺組合。 而超微（amd）下一代apu（代號carrizo）已至2015年登場，但其存儲器支援性仍停留在ddr3。至于移動設備部份，安謀（arm）針對伺服器市場打造的64位元cortex-a57處理器，已預留對ddr4存儲器支援，而 三方ip供應商也提供了相關的ddr4 phy ip。 三星于2013年底量產(chǎn)20 制程的4gb存儲器顆粒，將32gb的存儲器推向伺服器市場；2014年1月推出移動設備用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽鉆孔（tsv）技術，開發(fā)出單一ddr4芯片外觀、容量達128gb。市場預料ddr4將與ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段時間，預計到2016年才會ddr3而成為市場主流。 NCP1587DR2G MP1412DH-LF-Z MP2249DQT-LF-Z OPA376AIDBVR OPA2333AIDGKR OPA2378AIDCNR LT1783IS6#TRPBF LM258DR LMV722IDGKR LM258PT LM358DR2G STM809RWX6F SY8089AAAC TPS63700DRCR TPS76050DBVR TPS54610PWPR TPS40210DGQR TPS3839G33DBZR TPS7A3901DSCR W25X05CLNIG WCN-3660-0-79BWLNSP-TR-02-0 TPS51125ARGER G966A-25ADJF11U GD25Q80BSIG