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目前市面上主流的pcb輔助制造軟件有3種，genesis、incam、cam350，不過目前cam350基本上已經(jīng)慢慢被淘汰。整個行業(yè)的軟件被的一家公司orbotech（奧寶）壟斷。
orbotech（奧寶）：有g(shù)enesis、incam、inplan等，基本上國內(nèi)的pcb制造商都是用的奧寶公司的軟件國內(nèi)也有一些小公司參考genesis軟件開發(fā)了功能類似的軟件，但是都僅僅用于電路分析，沒有其余修改化的功能，且沒有經(jīng)過市場的大量驗證，無法推廣使用。
3、材料供應商（1）板材/銅箔/半固化片
板材/銅箔/半固化片：板材/銅箔是承載電路的基礎材料，半固化片是多層電路板必不可少的一種材料，主要起粘合作用。
這三種材料，目前普通的材料供應商有建滔（港商，外資控股）、生益（）、聯(lián)茂（臺灣）、南亞（臺灣）等，而涉及高頻高速材料，常用的就是羅杰斯（美國）、松下（日本）的板材，也有用一些生益的高頻高速板材，但是都只能用在高頻高速性能要求不高的電路板上。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。 L78M05CDT-TR LF33ABDT-TR SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR LSM6DS3TR STLM20DD9F LM317D2T-TR STL8N6F7 ESDA6V1SC6 M24LR04E-RMN6T/2 LF120CDT-TR M24LR04E-RDW6T/2 ST1S32PUR VN7016AJTR STM6510SCACDG6F LM135 MUN5211T1G M24C02-FDW6TP TS3431ILT FDV303 STX616-AP ESDA14V2L ULN2003D1013TR ST25DV04K-IER6T3 LM393PT HSP061-2M6 STM809TWX6F STM809SWX6F STPS140A LD2981ABM50TR LF347DT LMV822IDT STD7NM80 SM6T200A MC33078DT LM335DT LF253DT