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micron自家市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲(chǔ)器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。 nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預(yù)估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。 STB35N60DM2 VND7N04TR-E VNP20N07-E STD3NK50ZT4 STD35NF06T4 TS3431ILT STM809TWX6F STM809SWX6F LD3985M33R L78M10ABDT-TR LM317MDT-TR L78L05ABD13TR L7805CD2T-TR L78L05ACUTR STM811SW16F VIPER22ADIP-E LD1086D2T33TR L7805ABD2T-TR L78M24ABDT-TR SG3525AP013TR L78M24CDT-TR MC34063ABD-TR UC3845BD1013TR
