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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問(wèn)題是性。對(duì)于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),flash是非常合適的存儲(chǔ)方案。可以從壽命(性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫(xiě)次數(shù)是一百萬(wàn)次,而nor的擦寫(xiě)次數(shù)是十萬(wàn)次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢(shì),典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫(xiě)入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
目前，三星電子對(duì)此事未置評(píng)。高通公司公開(kāi)說(shuō)，他們有信心能夠達(dá)到財(cái)季的銷(xiāo)售目標(biāo)。上周三，高通公司 執(zhí)行官克里斯蒂亞諾·阿蒙（cristiano amon）在年會(huì)上對(duì)說(shuō)：“我們的需求仍基本高于供給。不過(guò)，接下來(lái)將先 soc 芯片的供應(yīng)，而不是的入門(mén)級(jí)芯片”。自去年美國(guó)華為后，安卓手機(jī)廠商對(duì)高通芯片的需求激增，這可能是高通出現(xiàn)供應(yīng)壓力的原因之一。此外，上個(gè)月，美國(guó)德克薩斯州遭遇冬季暴風(fēng)雪導(dǎo)致三星電子鑄造廠電網(wǎng)癱瘓，這家代工廠是高通的主要供應(yīng)廠之一。受到斷電影響，該廠在2月16日以來(lái)一直處于停工停產(chǎn)的狀態(tài)，并且預(yù)計(jì)可能會(huì)持續(xù)到4月中旬。目前為止，芯片短缺主要集中在傳統(tǒng)工藝制造的芯片上，而不是高通設(shè)計(jì)的處理器芯片。此次高通芯片供應(yīng)出現(xiàn)問(wèn)題，表明芯片供應(yīng)鏈可能由一個(gè)行業(yè)擴(kuò)展到其他多個(gè)行業(yè)，同時(shí)，快速變化的市場(chǎng)需求讓需要提前數(shù)十年制定生產(chǎn)計(jì)劃的芯片公司陷入困境。 TS391RILT TSV734IPT TSX3702IST VN340SPTR-E VN5025AJTR-E VN5E050J-E VN800PSTR-E VND5025AK-E VND5E025AKTR-E VND600SPTR-E VNP35NV04-E VNQ5E160AKTR-E ULN2069B ULN2074B VIPER06HN VIPER26LN VIPER35LD VN340SP-33-E VND7NV04-E VNQ600PTR-E X-NUCLEO-IKA01A1 SMC30J33CA VN808CM-32-E VN808CM-E VN820SP-E
