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具體而言，81 的企業(yè)來自，5 的企業(yè)來自歐美，香港地區(qū)占比4 ，臺(tái)灣企業(yè)占比6 ，亞太其它地區(qū)占比4 。
從參與調(diào)研企業(yè)的業(yè)務(wù)性質(zhì)分類來看，q4電子元器件分銷商占比37 ，品牌制造商(oem)占比37 ，原始設(shè)計(jì)制造商(odm)占比13 ，電子制造服務(wù)商(ems)占比10 ，方案系統(tǒng)設(shè)計(jì)公司(idh)和科研院所分別占比3 。
2020年pmi均值49.7 ，下半年“轉(zhuǎn)正”
2020年，成為重創(chuàng)經(jīng)濟(jì)和電子供應(yīng)鏈體系的事件。據(jù)衛(wèi)生組織1月8日的數(shù)據(jù)，累計(jì)人數(shù)已突破8600萬人，日新增 人數(shù)80萬人，日新增死亡人數(shù)1.4萬人。
受影響，2020年制造業(yè)總體表現(xiàn)“慘淡”。根據(jù)物流與采購聯(lián)合會(huì)1月6日公布的新數(shù)據(jù)顯示，2020年年采購經(jīng)理指數(shù)(pmi)均值為49.7 ，較2019年下降0.4 。
好在隨著包括在內(nèi)的主要逐步得到控制，2020年下半年起制造業(yè)有所恢復(fù)，7月起pmi已連續(xù)6個(gè)月保持在50 以上，尤其是q4恢復(fù)態(tài)勢(shì)進(jìn)一步增強(qiáng)。
數(shù)據(jù)顯示，q4制造業(yè)pmi均值達(dá)到54.5 ，較q3上升2.3 ，亞、歐、美、非較q3均有不同程度的增長(zhǎng)。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。 NT5TU32M16CG-3C MP2360DG-LF-Z MT48LC16M16A2BG-75IT:D 24LC512T-I/SN XTR115U/2K5 AD8647ARMZ-REEL AD8422ARZ-R7 RT8289GSP TPS23751PWPR ISO1H801G PI5PD2069WEX MAX708TCSA LT1959CR DS1818R-10 RT9108NB ALC888S AOZ8902CIL TL431ACLPR RT9266GE SGM2019-3.3YN5G/T SGM2019-1.8YN5G MC34063A SY8088AA AMS1085CM-3.3
