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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電羅姆集團(tuán)與意法半導(dǎo)體就碳化硅(sic)晶圓長期供貨事宜達(dá)成協(xié)議
半導(dǎo)體制造商羅姆和意法半導(dǎo)體（以下簡稱“st”），雙方就碳化硅（以下簡稱“sic”）晶圓由羅姆集團(tuán)旗下的sicrystal gmbh （以下簡稱“sicrystal”）供應(yīng)事宜達(dá)成長期供貨協(xié)議。在sic功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達(dá)成超1.2億美元的協(xié)議，由sicrystal（sic晶圓生產(chǎn)量歐洲）向st（面向眾多電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的性半導(dǎo)體制造商）供應(yīng)的150mm sic晶圓。
2月小米發(fā)布gan充電器65w
小米在2月新品直播發(fā)布會(huì)上，發(fā)布了小米gan充電器type-c 65w，采用氮化，高支持65w疾速充電，搭配小米10 pro可實(shí)現(xiàn)50w快充，體積小巧便攜。
臺(tái)積電將與意法半導(dǎo)體合作，加速gan制程技術(shù)開發(fā)
臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體合作加速市場采用氮化產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⒔唤o客戶。臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化（gallium nitride, gan）制程技術(shù)的開發(fā)，并將分離式與整合式氮化元件導(dǎo)入市場。透過此合作，意法半導(dǎo)體將采用臺(tái)積公司的氮化制程技術(shù)來生產(chǎn)其氮化產(chǎn)品。
英飛凌新增650v產(chǎn)品系列，完備硅、碳化硅和氮化3種技術(shù)
英飛凌科技（infineon）持續(xù)擴(kuò)展其方位的碳化硅（sic）產(chǎn)品組合，新增650v產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的coolsic mosfet能滿足廣泛應(yīng)用對于能源效率、功率密度和度不斷提升的需求，包括：服務(wù)器、電信和工業(yè)smps、太陽能系統(tǒng)、能源儲(chǔ)存和化成電池、ups、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)車充電等。英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉(zhuǎn)換部門協(xié)理steffen metzger說，推出這項(xiàng)產(chǎn)品后，英飛凌在600v/650v電源領(lǐng)域完備了硅、碳化硅和氮化（gan）型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。
速度快，掉電丟失數(shù)據(jù)，容量小，價(jià)格貴 ram英文名random access memory，隨機(jī)存儲(chǔ)器，之所以叫隨機(jī)存儲(chǔ)器是因?yàn)椋寒?dāng)對ram進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲臅r(shí)候，花費(fèi)的時(shí)間和這段所在的位置或?qū)懭氲奈恢脽o關(guān)。 ram分為兩大類：sram和dram。L5970D RT9385BGQW MT6161AN/C WM8728EDS BC57E687BU KLM4G1FE3B-B001 TDA18252HN CY7C66113C-PVXC UBA2014P LF353DR SGM8545XN5/TR OPA445AU PTMA210152MV1 LT1013DDR LF353P TLV2711IDBVR LF347DR S25FL512SAGMFVG13 PCF8563T/5 NJM2740V-TE1 TLC277CP DA9053-3FHA LT6654AIS6-2.5#TRMPBFTR-ND DRV8833RTY
