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這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個電流檢測電路測量正反電流，有助于設(shè)計人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進一步提高了應用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護功能，器件抗擾能力強，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設(shè)計人員快速啟動使用一款器件的開發(fā)項目， 產(chǎn)品上市時間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設(shè)計，v- 目前計劃中的傳輸速率進展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設(shè)計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達到16gb容量。 而ddr4運作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術(shù)（deep power down），進入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機功耗。 GD32F103VCT6 GD32F303CCT6 GD32F303VCT6 GD32F305VCT6 PCI9056-BA66BIG QCPL-7847-500E QCPL-WB3N-560E ACHS-7122-500E ACPL-C790-500E ACPL-P480-500E HCPL-0601-500E TLC272IDR TMS320F28062PNT TPS7A7200QRGWREP TPS79850QDGNRQ1 TPS79801QDGNRQ1 LMH6645MFX/NOPB TMS320LF2406APZA IS42S32200L-6TLI IS25LP128F-JBLE-TR IS25LP256D-RMLE IS25LP512M-RMLE-TR IS25WP080D-JNLE IS25WQ040-JNLE-TR AO4803A AOL1412 DSPIC33EP16GS504-I/PT