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flash存儲(chǔ)器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是flash的存儲(chǔ)容量都普遍的大于eeprom，在存儲(chǔ)控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個(gè)字節(jié)擦除。 sram是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設(shè)來拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的?；刭弅9k場效應(yīng)管,海力士內(nèi)存,廠家?guī)齑娲袅?霍爾元件,各種電子元器件,電感系列,通信ic產(chǎn)品類ic,工廠庫存電子元件,現(xiàn)代4g內(nèi)存芯片,海力士flash芯片,電源ic,音效ic等等。
