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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電晶體三 管在電路中常用“Q”加數(shù)字說，如：Q1說編號(hào)為1的三 管。電路板上的三 管
1、特點(diǎn)：晶體三 管（簡稱三 管）是內(nèi)部含有2個(gè)PN結(jié)，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三 管從工作特性上可互相彌補(bǔ)，所謂OTL電路中的對(duì)管就是由PNP型和NPN型配對(duì)使用。
常用的PNP型三 管有：9012、9015等型號(hào)；NPN型三 管有：9011、9012、9013、9014、9018、等型號(hào)。
2、晶體三 管主要用于放大電路中起放大作用，
應(yīng)用 多級(jí)放大器中間級(jí)，低頻放大 輸入級(jí)、輸出級(jí)或作阻抗匹配用高頻或?qū)掝l帶電路及恒流源電路
3、晶體三 管的識(shí)別常用晶體三 管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規(guī)律。對(duì)于小功率金屬封裝三 管，按底視圖位置放置，使其三個(gè)引腳構(gòu)成等腰三角形的頂點(diǎn)向上，從左向右依次為e、b、c；對(duì)于中、小功率塑料封裝三 管，按圖示1-2位置使其平面朝向自己，三個(gè)引腳朝下放置，則從左向右依次為e、b、c 。
flash存儲(chǔ)器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器，但是flash的存儲(chǔ)容量都普遍的大于eeprom，在存儲(chǔ)控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個(gè)字節(jié)擦除。 sram是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設(shè)來拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是自由進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 ULN2004D1013TR M95M01-RMN6TP LMV358IDT LM2903PT LM217MDT-TR LD3985M33R LD1086D2M33TR BAR43SFILM TDA7377 STM32F051K8T6TR STM32F103ZET6 STM32L100R8T6ATR STM32F437ZIT7 STM32F446VET6TR STM32F446ZCT6 STM32F446ZET6 STM32F722IEK6 STM32F723IET6 STM32F7308-DK STM32F745VGH6 STM32F745ZGT6 STM32F746IGT6
