25小時在線 158-8973同步7035 可微可電美國英特爾公司和艾亞實驗室將teraphy硅基光學輸入/輸出芯粒集成到現(xiàn)場可編程門陣列中，將光信號傳輸元件封裝至芯片內(nèi)部，標志著封裝內(nèi)光互連技術(shù)取得突破性進展。集成方案是：將teraphy芯粒與現(xiàn)場可編程門陣列“接口數(shù)據(jù)總線”接口的24個通道相連接，利用“嵌入式多芯片互連橋接”技術(shù)將二者封裝在一起，構(gòu)建封裝內(nèi)集成光學元件的多芯片模塊。與電互連相比，光互連帶寬密度提高1000倍，功耗降低至1/10。該技術(shù)有望實現(xiàn)100太比特/秒的數(shù)據(jù)傳輸速率，大幅提升封裝內(nèi)芯片間的數(shù)據(jù)傳輸能力，滿足裝備大數(shù)據(jù)處理需求。
二、darpa三維系統(tǒng)芯片進入產(chǎn)業(yè)化階段
2020年8月，darpa三維系統(tǒng)芯片開始從實驗室成果轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)化。產(chǎn)業(yè)化階段，darpa將在天水公司200毫米晶圓碳基芯片生產(chǎn)線上，應(yīng)用碳 管晶體管三維系統(tǒng)芯片制造工藝， 改進芯片品質(zhì)，提升芯片良率，化芯片性能，提高邏輯功能密度。三維系統(tǒng)芯片集邏輯運算、數(shù)據(jù)存儲功能于一身，可實現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸，提高計算性能，降低運行功耗，將大幅加速人工智能算法和計算，對美國鞏固勢意義重大。
三、美國開發(fā)出高靈敏芯片級激光陀螺儀
2020年3月，美國加州理工學院研發(fā)出高靈敏度芯片級激光陀螺儀，靈敏度比其他芯片級陀螺儀高數(shù)十至上百倍。該陀螺儀碟形布里淵諧振腔由---q值超過1億的硅基二氧化硅制成，自由光譜諧振值1.808吉赫。測試表明，芯片級激光陀螺儀具有高靈敏、高集成性、高魯棒性、強抗沖擊性等特點，在微型、可穿戴設(shè)備及其他---平臺上具有廣闊應(yīng)用前景。
四、美國開發(fā)出基于憶阻器陣列的三維計算電路
2020年5月，美空軍研究實驗室與馬薩諸塞大---合研發(fā)出一種三維計算電路。其由八層憶阻器陣列構(gòu)成，采用了新的電路架構(gòu)設(shè)計，可直接實現(xiàn) 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)功能。八層憶阻器陣列由若干個彼此物理隔離的憶阻器行組構(gòu)成，每個行組包含八層憶阻器，層與層呈階梯式交錯堆疊搭接，每個憶阻器僅與相鄰少量憶阻器共用電 ，減少了相關(guān)干擾，大幅 了“潛在通路”效應(yīng)，有利于實現(xiàn)大規(guī)模憶阻器陣列集成。該三維計算電路計算速度和能效大幅提升，為人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等計算技術(shù)，以及神經(jīng)形態(tài)硬件設(shè)計提供了新的技術(shù)途徑。
micron自家市場統(tǒng)計預測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復合成長率可達51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲器芯片產(chǎn)品。  nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。  OPA4197IPWR TPS23861PWR TLC59116IRHBR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR