25小時在線 158-8973同步7035 可微可電所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上,這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機。如果只是有問題,多讀幾次就可能解決了。
當(dāng)然,如果這個位真的改變了,就 采用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)算法。位反轉(zhuǎn)的問題 見于nand閃存,nand的供應(yīng)商建議使用nand閃存的時候,同時使用edc/ecc算法。
這個問題對于用nand存儲多媒體時倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他時, 使用edc/ecc系統(tǒng)以性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價太高,不劃算。
nand器件需要對介質(zhì)進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過的方法不能進行這項處理,將導(dǎo)致高故障率。
軟件支持
當(dāng)討論軟件支持的時候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高的用于磁盤和閃存管理算法的軟件,包括性能化。
在nor器件上運行代碼不需要的軟件支持,在nand器件上進行同樣操作時,通常需要驅(qū)動程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序(mtd),nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些,許多廠商都提供用于nor器件的更軟件,這其中包括m-system的trueffs驅(qū)動,該驅(qū)動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所采用。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。  CY7C1650KV18-450BZC CY7C1415KV18-300BZXC CY7C1418KV18-250BZXC CY7C1520V18-200BZC TLC6C598QPWRQ1 VND7140AJTR AUIRS2191STR L9347LF-TR VNH7013XPTR-E TLE9180D-31QK TLD2331-3EP A4916KJPTR-T S9KEAZN16AMLC MMPF0100F0ANES MMPF0100F0AEP MC13892DJVL SPC560P44L3CEFAR SPC5743PK1AMLQ5R SPC560P50L3CEFAR IS45S32200L-7BLA2 VNN7NV04PTR-E VN5E025AJTR-E NCV2902DTBR2G