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這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個電流檢測電路測量正反電流，有助于設計人員縮減物料清單成本。新產(chǎn)品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產(chǎn)品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內(nèi)，進一步提高了應用靈。寬輸入電壓容差允許新產(chǎn)品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產(chǎn)品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項參數(shù)分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產(chǎn)品內(nèi)部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護功能，器件抗擾能力強，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
這三款新產(chǎn)品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設計人員快速啟動使用一款器件的開發(fā)項目， 產(chǎn)品上市時間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
三星與臺積電并列為兩大芯片代工廠，但是卻總是稍遜臺積電。2015年蘋果iphone 6s系列，為了提高新品產(chǎn)能，同時使用了三星14nm和臺積電16nm工藝代工，然而臺積電出產(chǎn)的芯片性能穩(wěn)定，三星的芯片卻兩 分化，部分芯片性能、發(fā)熱均表現(xiàn)，另一些芯片則出現(xiàn)了發(fā)熱翻車的現(xiàn)象。后來蘋果芯片的代工訂單基本都交給了臺積電，三星則與高通簽訂了多年合作協(xié)議。3nm是芯片工藝的新節(jié)點，比5nm、4nm更為重要，三星早前已經(jīng)開始布局，搶在臺積電之前，展出了成品。 TPS74801QRGWRQ1 TPIC44L01DBR TLE42754G NCV47821PAAJR2G TPS745125PQWDRBRQ1 S9S12GN32BMLCR S9S12G192F0CLL LM324IYPT BUK9K35-60E S9S12G192F0CLL TPS40210QDGQRQ1 TPS74801QRGWRQ1 BZX384-C6V2 S912XDP512JMAL A4935KJPT-T TLE42754G SPC5743PK1AMLQ5R UCC28C41QDRQ1 NCV47821PAAJR2G MCIMX6D6AVT08AD SPC560P44L3CEFAR AONR34332C DMP4015SK3Q PESD1CAN.125 S9S12G64AMLF