25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電回收電子,回收ic,回收模塊,回收液晶屏,深圳 資源回收9年；現(xiàn)金收購(gòu)工廠庫(kù)存積壓ic、二三 管、鉭電容、電子元器件、手機(jī)配件、it電腦主板等統(tǒng)貨；正規(guī)注冊(cè)的回收企業(yè)，！長(zhǎng)期協(xié)助oem、odm工廠庫(kù)存呆滯料的、收購(gòu)、咨詢、代賣等業(yè)務(wù)。國(guó)內(nèi)、香港、臺(tái)灣可收購(gòu)。 1、回收主板:收購(gòu)，回收平板電腦主板，回收手機(jī)主板，回收電子書主板，回收筆記本主板，回收數(shù)碼相框主板，回收主板，回收ssd固態(tài)硬盤，回收內(nèi)存條，回收cpu。 2、回收成品:手機(jī)＼車載導(dǎo)航＼移動(dòng)dvd＼數(shù)碼相框＼電子書＼平板電腦＼筆記本電腦＼數(shù)碼相機(jī)＼液晶顯示屏\液晶屏\行車記錄儀等。 3、回收卡類:收購(gòu)，回收tf卡，回收cf卡,回收mmc卡，回收sd卡,回收ssd卡,回收記憶棒,回收固態(tài)硬盤,回收rs卡,回收 ,回收m2卡,回收xd卡，回收好壞u盤，mp3/mp4/mp5/ssd卡。隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年?yáng)|芝發(fā)表bics，2009年?yáng)|芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國(guó)廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  LM2904VQDRQ1 TLV4314QPWRQ1 TL343IDBVR LM393DGKR TPS51916RUKT TPS2543RTER TPS62130AQRGTRQ1 TPS61096ADSSR TPD4S010DQAR LM337LM/NOPB SN74LVC1T45QDCKRQ1 TXS0102YZPR TPS54225PWP INA193AMDBVREP TPS259270DRCR SN65HVD1050DR TPS259530DSGR TL343IDBVT AM26LV32IDR ISO7321CDR SN74LVC1T45DRLR ISO7221BDR CSD18532Q5B TS3USB221ERSER