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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電電感在電路中常用“L”加數(shù)字說，如：L3說編號為3的電感。電路板上的電感器
電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。
直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很小；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。
電感一般有直標法和色標法，色標法與電阻類似。如：棕、黑、金、金說1uH（誤差5 ）的電感。
電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH。
在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導體電路所設(shè)計的nand flash非揮發(fā)性存儲器，隨著flash制程技術(shù)不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。 RN5RL30AA-TR SI9183DT-AD-T1 TC2185-2.8VCTTR TCM810LENB713 TCM811SERC TPS79333DBVRG4 ADP3300ART-3 SC8800S4-349G SC8825A SC8825C SIL9011CLU TA31139BFL TLV5590EDR U87C196MC R2A15905FP RTL8306SD-GR SCH5627-NS SN65HVD3080EDGS INA203AIDGSR INA168QDBVRQ1 INA240A1PW USB1T1103MPX OPA2209AIDGKR