25小時在線 158-8973同步7035 可微可電所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上,這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機。如果只是有問題,多讀幾次就可能解決了。
當(dāng)然,如果這個位真的改變了,就 采用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)算法。位反轉(zhuǎn)的問題 見于nand閃存,nand的供應(yīng)商建議使用nand閃存的時候,同時使用edc/ecc算法。
這個問題對于用nand存儲多媒體時倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他時, 使用edc/ecc系統(tǒng)以性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價太高,不劃算。
nand器件需要對介質(zhì)進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過的方法不能進行這項處理,將導(dǎo)致高故障率。
軟件支持
當(dāng)討論軟件支持的時候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高的用于磁盤和閃存管理算法的軟件,包括性能化。
在nor器件上運行代碼不需要的軟件支持,在nand器件上進行同樣操作時,通常需要驅(qū)動程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序(mtd),nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些,許多廠商都提供用于nor器件的更軟件,這其中包括m-system的trueffs驅(qū)動,該驅(qū)動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所采用。
 flash存儲器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是flash的存儲容量都普遍的大于eeprom，在存儲控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個字節(jié)擦除。  sram是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設(shè)來拓展sram。  注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由進行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 LM4120AIM5X-3.3 PTVS11VS1UR IP4292CZ10 LM4050AEM3-2.5 LM4121IM5-1.2 PMBT6428 NX3020NAKT LM4040DIM3-2.5 BQ24090DGQR VIPER22A TLV431BQDBZR TPS62200DBVR MAX6006BEUR+T MIC4684YM TPS3705-33DGNR TPS2051CDBVR TPS76330DBVR TPS73033DBVR TL431BIDBZR TLV62565DBVR NCP3218GMNR2G LM4040CIM3-5.0 TL431AIDBVR TLV431ACDBVR TLV431ACDBZR LM809M3-2.93