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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電當前芯片產(chǎn)能緊張的狀況將進一步擴大，已經(jīng)影響到了高通公司向三星供貨。根據(jù)，芯片短缺不僅影響到了中低端芯片，高通向三星 galaxy s21 系列手機供應驍龍 888 soc 的能力也受到了。目前尚未知曉高通產(chǎn)能受影響的程度，但高通仍有信心實現(xiàn)季度的銷售目標。
高通說，“將先 soc 芯片的供應，而不是的入門級芯片。”有一家不愿透露名稱的手機制造商說，由于高通公司一系列芯片皆供應緊張，因此不得不削減智能手機的產(chǎn)能。
it之家獲悉，小米盧偉冰此前也說，目前智能手機的芯片是 度短缺的。高通即將上任的 ceo cristiano amon 說，目前芯片供大于求的狀況原因之一的美國對華為的，導致手機廠商不得不選擇高通等公司的芯片。
除了手機 soc 這種高附加值芯片，目前電阻、電容、二 管等基礎(chǔ)元器件也面臨著不同程度的漲價，進一步提高了廠商的壓力。
在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導體電路所設(shè)計的nand flash非揮發(fā)性存儲器，隨著flash制程技術(shù)不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機、嵌入式裝置與工控應用上大量普及。 TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS259573DSGR TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS7B6925QDCYRQ1 SN74LVC1G175DCKR TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1