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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 6:電容的識(shí)別(1)、貼片電容有:貼片鉭電容、貼片瓷片容、 紙多層貼片電容、貼片電解電容。貼片瓷片電容:體積小，無 性，無絲印。基本單位pf紙多層貼片電容:與貼片瓷片電容基本相同，材質(zhì)紙質(zhì)?；締挝?為pf,但此電容容量一般在uf級(jí)。
貼片電解電容:絲印印有容量、耐壓和 性標(biāo)示。其基本單位為f。
7:電感元件的識(shí)別常見貼片元件尺寸規(guī)范介紹
在貼片元件的尺寸上為了讓所有廠家生產(chǎn)的元件之間有 的通用性，上各大廠家進(jìn)行了尺寸要求的規(guī)范工作，形成了相應(yīng)的尺寸系列。其中在不同采用不同的單位基準(zhǔn)主要有公制和英制，對(duì)應(yīng)關(guān)系如下表:
注:1)此處的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中還有其它尺寸規(guī)格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在實(shí)際使用中使用范圍并不廣泛所以不做介紹。
3)對(duì)于實(shí)際應(yīng)用中各種對(duì)尺寸的稱呼有所不同，一般情況下使用英制單位稱呼為多，例如一般我們?cè)诠ぷ髦袝?huì)說用的是0603的電容，也有時(shí)使用公制單位例如說用1608的電容此時(shí)使用的就是公制單位 。
5根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈的消息，臺(tái)積電也在研發(fā)3nm工藝，的是新工藝仍將采用finfet立體晶體管技術(shù)，號(hào)稱與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。從紙面參數(shù)來看，三星這一次似乎有望實(shí)現(xiàn)反超。不過三星還沒有公布3nm工藝的訂單情況，臺(tái)積電則基本確認(rèn)，客戶會(huì)包括蘋果、amd、nvidia、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，貌似intel也有意尋求臺(tái)積電的工藝代工。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2nm芯片上應(yīng)用gaafet技術(shù)，要等待三年左右才能面世。 STM32F103VET6 TEF6686AHN/V205 MCIMX6Y2CVM08AB LPC822M101JHI33E 74AVC8T245BQ KSZ8863RLLI KSZ8081MNXIA-TR MCP9700AT-E/LT PIC16F1508-I/SS ATMEGA1284P-AU ICE3PCS01G IRFP4668PBF IR21844STRPBF RT9701PB UT4407G-S08-R UT4411G-S08-R NTR4502PT3G AD8617ARMZ-REEL AD8604ARZ-REEL7 AD8554ARZ-REEL7 AON6370 MCP6292T-E/SN MCP6282T-E/SN MCP6242T-E/SN MCP6232T-E/SN MCP617T-I/SN MCP607T-I/SN MCP6072T-E/SN MCP606T-I/OT RT9193-33GB RT9179PB RT9179GB RT9166-33GVL RT9161A-33GV RT9161-50GV RT9013-33GB RT9013-18GB AO4440 AOD200
